ذخیره و بازیابی اطلاعات

با اينکه حافظه ای EPROM يک موفقيت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی كماكان نيازمند بکارگيری تجهيزات خاص و دنبال نمودن فرآيندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به يک شارژ نياز باشد. در ضمن، فرآيند اعمال تغييرات در يک حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نياز و بصورت تصاعدی صورت پذيرد و در ابتدا می بايست تمام محتويات را پاک نمود. حافظه های Electrically Eraseable Programmable Read Only Memory ) EEOPROM) پاسخی مناسب به نيازهای موجود است. در حافظه های EEPROM تسهيلات زير ارائه می گردد:

برای بازنويسی تراشه نياز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.

برای تغيير بخشی از تراشه نياز به پاک نمودن تمام محتويات نخواهد بود.

اعمال تغييرات در اين نوع تراشه ها مستلزم بکارگيری يک دستگاه اختصاصی نخواهد بود.

به جای استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الکترون های هر سلول را با استفاده از يک برنامه محلی و بکمک يک ميدان الکتريکی به وضعيت طبيعی برگرداند. عمليات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا" آنها را بازنويسی نمود. تراشه های فوق در هر لحظه يک بايت را تغيير خواهند داد. فرآيند اعمال تغييرات در تراشه های فوق کند بوده و در مواردی که می بايست اطلاعات با سرعت تغيير يابند، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.

توليدکنندگان با ارائه Flash Memory که يک نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدوديت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند. در حافظه Falsh از مدارات از قبل پيش بينی شده در زمان طراحی، بمنظور حذف استفاده می گردد (بکمک ايجاد يک ميدان الکتريکی). در اين حالت می توان تمام و يا بخش های خاصی از تراشه را که "بلاک " ناميده می شوند، حذف کرد. اين نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سريعتر است، چون داده ها از طريق بلاک هائی که معمولا" 512 بايت می باشند (به جای يک بايت در هر لحظه) نوشته می گردند. شکل زير حافظه BIOS را که نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است، نشان می دهد.

با تشکر از آقای علی غفاری